晶揚電子 應(yīng)用于USB2.0 接口ESD防護方案1

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一、USB的發(fā)展歷程

USB1.0

1996年USB 1.0出現(xiàn)，其速度為1.5Mb/s（位每秒）；在1998年升級到速度為12Mb/s的USB 1.1，目前，大部分MP3為此接口類型

USB2.0

2000年，USB2.0在1.0基礎(chǔ)上，速度升級到480mbps，速度是USB1.0的40倍，被稱為USB2.0的高速（High-speed）版本

USB3.0

2008，USB3.0世，5.0Gbps（500MB/s）

USB3.2

2017年，市場首次討論了USB 3.2，該標(biāo)準(zhǔn)可提供高達(dá)20Gbps的數(shù)據(jù)速率，USB 3.2在2019年上市

以下是USB 3.2各代的速度差異●  USB 3.2 Gen 1稱為USB 3.0，速度5 Gbps USB●  3.2 Gen 2稱為USB 3.1，速度10 Gbps USB●  3.2 Gen 2x2，普遍被認(rèn)為是USB 3.2，速度可達(dá)20Gbps

USB4.0

2019年，USB4.0以USB3.2架構(gòu)為基礎(chǔ)打造，重新定義多終端設(shè)備共享和單路高速鏈路連接方案

具備自動擴展數(shù)據(jù)分配能力，多種數(shù)據(jù)傳輸時互不影響，并可限度高效利用帶寬，雙通道環(huán)境下可達(dá)40Gbps，USB 4.0速度是USB 3.0的8倍

晶揚電子 針對USB2.0 ESD/EOS晶選方案

與傳統(tǒng)的USB一樣，USB2.0端口也是即插即用。在熱插拔及平時接觸過程中，都存在靜電浪涌的風(fēng)險

由于其接口體積更加小巧，內(nèi)部元器件集中化程度更高，受到靜電浪涌危害的可能性會更大。因此在電路設(shè)計中需添加合適的防護器件

對于USB2.0高速接口，選擇ESD/EOS保護組件時需考慮以下幾點：

1、為確保通過USB2.0傳遞高速信號完整性，選擇該器件時需使用具有較低電容的ESD保護組件

2、具有較高的ESD耐電壓能力，至少要承受IEC 61000-4-2中規(guī)定的8kV接觸放電的ESD沖擊

3.ESD鉗位電壓是比較重要參數(shù)。較低的鉗位電壓表示更好的保護性能

為滿足以上要求，晶揚電子針對USB2.0 ESD/EOS推出其產(chǎn)品

TT0514TL

TT0521SB

TS0511LE

公司簡介

深圳市晶揚電子有限公司

作為一家國家高新技術(shù)企業(yè)，深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會會員

多年專業(yè)從事IC設(shè)計、生產(chǎn)、銷售及系統(tǒng)集成的IC DESIGN HOUSE，總部位于香港（香港天微電子有限公司）

國內(nèi)最早從事電子元器件配套服務(wù)的高科技型企業(yè)，在成都、杭州等地設(shè)立了研發(fā)中心，并已有近百項有效知識產(chǎn)權(quán)

目前晶揚電子致力于半導(dǎo)體工藝的保護器件、MOSFET、二三極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、電源管理IC（LDO，DC-DC）、限流IC以及段碼驅(qū)動IC的研發(fā)與應(yīng)用

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電話：0755-86024973，19867705160

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